btc模块是什么意思 btcusdt

一、梅捷b85btcnvme模块安装步骤与注意事项

梅捷b85btc主板安装NVMe模块的步骤与注意事项如下：

安装步骤准备工作：关闭电脑电源，断开所有外部设备连接。准备梅捷b85btc主板、NVMe固态硬盘、螺丝刀（建议使用带磁性的十字螺丝刀）及防静电手环（可选）。定位M.2接口：打开主板说明书，确认M.2接口位置（通常位于主板中部或靠近CPU插槽）。接口类型需与NVMe模块匹配（如M.2 2280规格）。安装NVMe模块：将NVMe固态硬盘以45°角插入M.2接口，确保金手指完全接触插槽。

轻压硬盘尾部至与主板平行，用螺丝刀固定尾部螺丝（避免过度用力导致滑丝）。

连接电源与数据线：若NVMe模块需额外供电（如PCIe转接卡场景），连接主板上的SATA电源线至模块。

数据传输通常通过PCIe通道完成，无需额外数据线（部分主板需确认BIOS中PCIe模式为“Gen3”）。

进入BIOS设置：开机后反复按Del或F2键（具体按键参考主板启动画面提示）进入BIOS界面。设置启动项：在BIOS的“Boot”或“启动”选项卡中，找到“Boot Option Priorities”。

将NVMe固态硬盘设置为第一启动项（名称可能包含“NVMe”或“M.2 SSD”）。

保存并退出：按F10键保存设置，选择“Yes”确认退出，电脑将自动重启。注意事项防静电操作：安装前触摸金属物体释放静电，或佩戴防静电手环，避免静电击穿硬件。方向与兼容性：NVMe模块有防呆设计，插入时需对齐接口缺口，强行插入可能导致损坏。

确认主板M.2接口支持NVMe协议（部分老旧主板仅支持SATA协议）。

螺丝固定：固定螺丝时力度适中，避免滑丝或压坏主板PCB层。BIOS设置谨慎性：修改启动项前记录原设置，防止误操作导致无法启动。

若主板支持CSM（兼容性支持模块），需关闭CSM以启用UEFI启动（NVMe模块通常需UEFI模式）。

驱动与系统：安装系统时选择UEFI模式，并确保操作系统支持NVMe驱动（Windows 8.1及以上原生支持）。通过规范操作可确保NVMe模块稳定运行，若遇到启动失败或识别异常，需重新检查BIOS设置及硬件连接。

二、内存条上的数字都代表什么意思

不同品牌的不相同:你可参考如下资料吧:从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。 1、PC66/100 SDRAM内存标注格式（1）1.0---1.2版本这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1.2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。（2）1.2b+版本其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。 2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。 PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。 3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。 4、RDRAM内存标注格式其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。 5、各厂商内存芯片编号内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。（1）HYUNDAI（现代）现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。（2）LGS〔LG Semicon〕 LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。 LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。（3）Kingmax(胜创) Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。 Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。 KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。（4）Geil(金邦、原樵风金条)金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG-7 AMIR 00 32其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量=内存基粒容量*基粒数目= 16* 8= 128Mbit，其中16=内存基粒容量；8=基粒数目；M=容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。（5）SEC（Samsung Electronics，三星）三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254]= 256Kx、512(514)= 512Kx、1= 1Mx、4= 4Mx、8= 8Mx、16= 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4= x4、8= x8、16= x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1= 1M、2= 2M、4= 4M、8= 8M、16= 16M）；2代表刷新（0= 4K、1= 2K、2= 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7= 7ns[143MHz]、8= 8ns[125 MHz]、10= 10ns[100 MHz]、H= 100 MHz@ CAS值为2、L= 100 MHz@ CAS值为3）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用'S'后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下： Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4=4M、8= 8M、16= 16M、32= 32M、64= 64M、12= 128M、25= 256M、51= 512M、1G= 1G、2G= 2G、4G= 4G）；0代表刷新（0= 64m/4K [15.6μs]、1= 32m/2 [15.6μS]、2= 128M/8K[15.6μS]、3= 64M/8K[7.8μS]、4= 128M/16K[7.8μS]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOPⅡ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHZ（5= 5NS, 200MHZ(400MBPS)、6= 6NS, 166MHZ(333MBPS)、Y= 6.7NS, 150MHZ(300MBPS)、Z= 7.5NS, 133MHZ(266MBPS)、8= 8NS, 125MHZ(250MBPS)、0= 10NS, 100MHZ(200MBPS)）。即三星4MBIT*16=64MBIT内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0= 64M/4K(15.6μS)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOPⅡ，速度133MHZ。三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成X18（16= X16、18= X18）；RD表示产品类型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4= 4M、8= 8M、16= 16M）；C代表封装类型（C=微型BGA、D=微型BGA [逆转CSP]、W= WL-CSP）；80代表速度（60= 600MBPS、80= 800MBPS）。即三星8M*18BIT=144M，BGA封装，速度800MBPS。（6）MICRON（美光） MICRON公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MICRON PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J其中MT代表MICRON的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表处理工艺（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF设备号码（深度*宽度），无字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；EF表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代表速度，分成以下四类：（A）DRAM-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS SDRAM，X32 DDR SDRAM（时钟率@ CL3）-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ DDR SDRAM（X4，X8，X16）时钟率@ CL=2.5-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ（B）RAMBUS（时钟率）-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS+的含义-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）（C）DDR SDRAM-8支持PC200（CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。例如MT 48 LC 16M8 A2 TG-75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHZ（7）其它内存芯片编号 NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表BANK数（3或4代表4个BANK，在16位和32位时代表2个BANK；2代表2个BANK）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个BANK和LVTTL，3代表4个BANK和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS较10慢，TAC为7，不完全符合PC100规范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。 HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F-B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。 SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S AB CD0 E T F-GH其中AB为容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66规格〕）。 TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。 IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10 [15.6μS]、2= 128M/8K[15.6μS]、3= 64M/8K[7.8μS]、4= 128M/16K[7.8μS]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOPⅡ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHZ（5= 5NS, 200MHZ(400MBPS)、6= 6NS, 166MHZ(333MBPS)、Y= 6.7NS, 150MHZ(300MBPS)、Z= 7.5NS, 133MHZ(266MBPS)、8= 8NS, 125MHZ(250MBPS)、0= 10NS, 100MHZ(200MBPS)）。即三星4MBIT*16=64MBIT内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0= 64M/4K(15.6μS)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOPⅡ，速度133MHZ。三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成X18（16= X16、18= X18）；RD表示产品类型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4= 4M、8= 8M、16= 16M）；C代表封装类型（C=微型BGA、D=微型BGA [逆转CSP]、W= WL-CSP）；80代表速度（60= 600MBPS、80= 800MBPS）。即三星8M*18BIT=144M，BGA封装，速度800MBPS。（6）MICRON（美光） MICRON公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MICRON PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J其中MT代表MICRON的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表处理工艺（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF设备号码（深度*宽度），无字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；EF表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代表速度，分成以下四类：（A）DRAM-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS SDRAM，X32 DDR SDRAM（时钟率@ CL3）-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ DDR SDRAM（X4，X8，X16）时钟率@ CL=2.5-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ（B）RAMBUS（时钟率）-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS+的含义-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）（C）DDR SDRAM-8支持PC200（CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。例如MT 48 LC 16M8 A2 TG-75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHZ（7）其它内存芯片编号 NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表BANK数（3或4代表4个BANK，在16位和32位时代表2个BANK；2代表2个BANK）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个BANK和LVTTL，3代表4个BANK和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS较10慢，TAC为7，不完全符合PC100规范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。 HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F-B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。 SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S AB CD0 E T F-GH其中AB为容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66规格〕）。 TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。 IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10

三、机械键盘的轴分别都是什么轴

青轴：段落感最强、Click声音最大，机械感最强，是机械键盘的代表轴，需下压2.4mm才可触发，打字节奏感十足，但是声音较大，比较吵,压力克数为60g。

黑轴：段落感最不明显，声音最小，与青轴形成鲜明对比，直上直下，下压1.5mm即可触发。有人将其比喻为Cherry的夏天，无论你想得到急速或舒缓的输入，黑轴都能自如应对，打字游戏都适合，但是由于触发键程短，压力克数较大，所以在游戏中有上佳的表现。黑轴机械键盘单个轴使用寿命长达5000万次(其他为2000万次)。

茶轴：比起青轴，段落感要弱很多，而对比黑轴，又不是直上直下的感觉，2mm即可触发，属于比较奢侈的机械轴。茶轴是几种轴中成本最高的轴，为两段式无声，也有人反应与薄膜手感相近，同时，茶轴是所需下压力道最小的一个，因此较适合想要省力的朋友使用。

红轴：与黑轴相似。但压力克数比黑轴小，起35，终60(黑轴起点为40)，是08年出的新轴，手感比较轻盈，敲击时没有段落感，直上直下，触发键程也同为2.0mm，敲击时更加轻松，能很好兼顾游戏和打字的使用需求。

在键盘出现的早期就已经出现了机械键盘，曾经经历过一段繁荣时期，比如早期的服务器上曾配备的就是机械键盘。随后很快被物美价廉的薄膜键盘所替代，但是机械键盘并没有消失，一直作为高端产品的代表发展到今天，机械键盘本身的特性是无法被淹没的，所以当机械键盘经历了繁荣、没落之后，如今的现状是，越来越多电脑的使用者和游戏玩家，对使用电脑的舒适度、手感、品质提出了更高的要求，作为外设之一的键盘也出现了一些变化，机械键盘不再只是发烧友的最爱，而且开始被越来越多的追求品质和手感的朋友所认可。

近些年，机械键盘又一春到来，最具有代表性的如以品质优秀而著称的Cherry原厂键盘，以时尚、精美、简约外观取胜但又保持较高制作工艺的Filco，和在游戏玩家心目中有较高地位的SteelSeries等。

旭丽SILITEK、群光CHICONY、英群BTC、美蓓亚NMB，承接微软、罗技、IBM、HP等世界知名品牌的键盘OEM制造。但是这四大代工厂生产的机械键盘非常罕见。那么众多产自台湾的机械键盘是由哪家工厂生产呢？

那就是备受争议的并且已经倒闭的笙春，从来自丹麦的Steel 6G、6G2、台湾jazzykit到日本filco的产品等，就是由笙春代工的，都曾经出现过一定的问题，所以这些产品曾经饱受玩家争论。jAKi JD002就是jazzykit JD001的后续产品，虽然更换了代工厂，但仍然产自台湾。所以台湾是机械键盘的另一个盛产之地。此外现在流行的filco是由台湾立宝生产，SteelSeries的7G和6Gv2则是由台湾明哲生产。

德国

首先来看大家最熟悉的Cherry，一个1953年成立至今的德国品牌，在美国及世界各地建立了12个公司及工厂。Cherry在市场主流的机械键盘主要产自德国和捷克这两个机械制造业非常发达的国家。

日本

提起日本，可能键盘发烧友最先想到的是Realforce101静电容式键盘，它有着与机械键盘寿命高、手感好等共同特点，很容易混淆被认为是机械键盘，虽然其原理与机械键盘完全不同，但是作为高端键盘的一类，特意在此提及。

除此之外，也曾经很流行ALPS轴机械键盘最早也是来自日本，但早已停产，后来经过台湾厂商的改进形成ALPS轴和简易ALPS轴，但其根源还是来自日本。

美国

代表就是IBM的曲蹲式弹簧的薄膜键盘，这种在286时代十分活跃的键盘全名是buckling spring屈蹲弹簧轴薄膜式机械键盘，（buckling spring意思是会弯曲的弹簧）它和机械开关键盘是有很大的区别。有人说用它打字就像在钢琴前弹奏优美的乐曲感觉一样，它的坚固耐用，不易损坏，让它们即使正常年限已到，但依然能在市场上流通。

结构是双层键帽每层键帽都有弹簧，5层薄膜薄片在金属盘上组成一个开关电路，上层的黑片是橡胶做的用来保护薄膜片，在黑色橡胶片之下，是一层炭素膜，上面的触点是印刷好。这还有另一层印刷电路和触点,但是如果两片直接放置,每个触点都会处于长期连通状态。

当你按下键帽将近3/4行程的时候，弹簧达到压缩极限于是瞬间弯曲并撞击内壁发出喀哒的声音，同时由于角度的改变使下面的模块通过杠杆原理按下，接触到下面的薄膜开启开关电路。能够使这个巧妙设计实现的关键就是键帽内部结构的角度。

这种键盘由于造价不菲，为了控制PC的整体成本，已停产，但是由于其无法代替的手感，和出色的质量，所以在市场仍然十分活跃。